Samsung เดินหน้าผลิตหน่วยความจำ UFS 2.0 ความจุ 256 GB คาดอยู่ใน Note 6

โดย RingRangRung | 26 กุมภาพันธ์ 2559 เมื่อ 13:00 น. | อ่าน 13

1บริษัท Samsung Electronics ประกาศเริ่มต้นเดินเครื่องผลิตชิปหน่วยความจำที่มีความจุ 256 GB บนมารตฐาน  Universal Flash Storage 2.0 (UFS 2.0) ที่ถูกทำมาเพื่อสมาร์ทโฟนระดับไฮเอนด์รุ่นใหม่ พร้อมประสิทธิภาพความเร็วในการส่งข้อมูล 850MB ต่อวินาที และ 260MB ต่อวินาทีในการเขียนข้อมูล เหนือกว่า microSD Card รุ่นท็อป 3 เท่า

ชิปหน่วยความจำดังกล่าวจะใช้เทคโนโลยี V-NAND ของทาง Samsung เอง ที่สามารถเร่งอัตราจำนวนคำสั่งการอ่าน/เขียนข้อมูล (IOPS) ได้มากถึง 45,000/40,000 ต่อวินาที ซึ่งมากกว่าหน่วยความจำแบบ USF รุ่นก่อนถึง 2 เท่า ซึ่งทางผู้ผลิตเผยว่าถ้าหากโอนถ่ายข้อมูลบนเครื่องที่ใช้หน่วยความจำ UFS 2.0 ผ่าน USB 3.0 จะสามารถส่งวิดีโอที่มีความละเอียด 1080p ความยาว 90 นาที ได้ภายใน 12 วินาทีเท่านั้น

ในตอนนี้หลายฝ่ายมองเห็นถึงความเป็นไปได้ว่า Samsung อาจจะนำชิปหน่วยความจำ 256GB UFS 2.0 ไปใช้งานในสมาร์ทโฟน Galaxy Note 6 แฟบเล็ตเรือธงรุ่นใหม่ของบริษัทที่จะเปิดตัวในช่วงกันยายนนี้

ที่มา: gsmarena

About Author

RingRangRung

RingRangRung

Partners