เล็กได้อีก Samsung เผยแผนการผลิตชิปหน่วยความจำ S-RAM ด้วยเทคโนโลยี 10 นาโนเมตร

โดย iSkyline | 19 พฤศจิกายน 2558 เมื่อ 17:07 น. | อ่าน 10

samsung logo

อาจจะต้องบอกว่าความหวังในฉีกหนีคู่แข่งที่ทาง Samsung กำลังมุ่งมั่นอยู่ในเวลานี้กับตลาดเซมิคอนดักเตอร์และชิปเซ็ตอาจจะดูเป็นรูปเป็นร่างมากขึ้นเรื่อยๆ เมื่อทางบริษัทเกาหลีใต้ได้เปิดเผยความก้าวหน้าเทคโนโลยีใหม่ล่าสุดของบริษัท ด้วยแผนการผลิตชิปหน่วยความจำ S-RAM ขนาดความจุ 128MB ที่ออกแบบมาให้สามารถทำงานทดแทนชิปหน่วยความจำ D-RAM สำหรับการเก็บสำรองข้อมูลในระบบที่มีการเรียกใช้งานบ่อยๆ (Cache Memory) ซึ่งจะดำเนินการผลิตด้วยกระบวนการเทคโนโลยีขนาด 10 นาโนเมตร FinFET ซึ่งมีขนาดลดลงไปมากถึง 37.5 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับชิป S-RAM ที่ผลิตด้วยกระบวนการ 14 นาโนเมตร FinFET ซึ่งจะส่งผลให้สามารถออกแบบชิปเซ็ตรุ่นใหม่ให้มีขนาดเล็งลงได้จากเดิมอีก

โดยจากข่าวนี้ก็ทำงานมีรายงานที่มองข้ามชอตจากสำนักข่าว Electronics News ในเกาหลีใต้ ได้ให้รายละเอียดเพิ่มเติมว่าจากแผนการดังกล่าวที่เปิดเผยออกมานั้น ก็อาจจะบ่งบอกได้ว่าเทคโนโลยีการผลิตชิปเซ็ตที่ขนาด 10 นาโนเมตร ของ Samsung อาจจะอยู่ไม่ไกลเกินไปจากความคาดหมายของทิศทางตลาดในขวบปี 2016 ซึ่งจะทำให้ทางโรงงานผลิตเกาหลีใต้นั้นสามารถดำเนินการผลิตด้วยเทคโนโลยีที่ก้าวหน้าที่สุดเป็นรายแรกเหนือเจ้าตลาดในเวลานี้อย่าง Intel และ TSMC อย่างเต็มรูปแบบ โดยทาง Intel คาดว่าจะทำตลาดชิปเซ็ต 10 นาโนเมตรได้ในช่วงปี 2017 เช่นเดียวกับทางโรงงานไต้หวัน

อย่างไรก็ดีทาง Samsung จะนำเสนอแผนการผลิตชิปหน่วยความจำ S-RAM รุ่นใหม่ดังกล่าวนี้ ในช่วงสัปดาห์งานสัมมนา International Solid-State Circuit (ISSCC) ที่มีกำหนดการจัดงานขึ้นในช่วงปลายเดือนมกราคม 2016

ที่มา: phonearena

About Author

iSkyline

iSkyline

Partners