ลือไปโน่น iPhone 7 ลุ้นใช้เทคโนโลยี 3D NAND ของใหม่จาก Toshiba/SanDisk

โดย iSkyline | 6 สิงหาคม 2558 เมื่อ 10:04 น. | อ่าน 13

Apple store shanghai

ในขณะที่เครื่อง iPhone 6s มีกำหนดการเปิดตัวในอีกไม่กี่สัปดาห์ข้างหน้านี้แล้ว แต่ความเคลื่อนไหวในวงการข่าวลือนั้นดูเหมือนจะไม่รอช้าเร่งจังหวะขยับตัวเองไปเริ่มลือกระแสของเครื่อง iPhone 7 สำหรับปี 2016 กันซะแล้ว โดยอ้างอิงข้อมูลว่าอุปกรณ์รุ่นใหม่ของ Apple ในขวบปีหน้าอาจจะเปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบใหม่ที่มีคุณภาพดีขึ้นในชื่อของ 3D NAND และยังอ้างอิงไปอีกว่าจะมีทาง Toshiba/SanDisk เป็นฝ่ายผลิตดูแลสนับสนุนชิ้นส่วนเข้าสู่สายการผลิต เนื่องจากผู้พัฒนา NAND ชั้นนำทั้งสองรายนี้เป็นผู้สนับสนุนหลักเกี่ยวกับเทคโนโลยีและชิ้นส่วน NAND ในผลิตภัณฑ์ซีรีส์ iPhone 6

เทคโนโลยี 3D NAND รุ่นใหม่นี้จะสามารถทำงานได้เร็วขึ้น การตอบสนองใช้งานอ่านเขียนข้อมูล การจัดการพลังงาน เช่นเดียวกับความทนทานและไว้ใจในการเก็บรักษาข้อมูลได้ดีขึ้นเมื่อเปรียบเทียบกับหน่วยความจำ NAND ทั่วไปในตลาดสมาร์ทโฟน โดยรายงานชิ้นนี้เกิดขึ้นตามมาหลังจากการที่ Toshiba/SanDisk นั้นประสบความสำเร็จในการทดสอบผลิต 3D NAND 256Gbit แบบ 48 เลเยอร์ เป็นครั้งแรก ด้วยการใช้กระบวนการผลิตที่ขนาด 15 นาโนเมตร และเทคโนโลยีดังกล่าวนี้จะพร้อมสำหรับการผลิตในปริมาณมากๆ ภายในปี 2016 แบบพอดิบพอดี โดยจะเริ่มส่งมอบสินค้าตัวอย่างให้กับบรรดาคู่ค้าได้เริ่มดำเนินการทดสอบเป็นการภายในตั้งแต่เดือนกันยายนเป็นต้นไป

สำหรับปัจจุบันการใช้เทคโนโลยี 3D NAND นั้นได้นำมาใช้งานในตลาด SSD บนคอมพิวเตอร์เรียบร้อยแล้ว และคาดว่าจะแพร่หลายมากยิ่งขึ้นในอนาคต ผ่านการใช้งานในอุปกรณ์หน่วยความจำหลากหลายรูปแบบ

ที่มา: phonearena

About Author

iSkyline

iSkyline

Partners